[发明专利]一种钯银合金纳米薄膜氢敏元件及制作方法

摘要

本发明公开一种钯银合金纳米薄膜氢敏元件及制作方法，是采用直流磁控溅射工艺，在溅射有电极的氧化硅片上，按：“溅射钯→钯纳米薄膜→热处理→溅射银→钯银复合纳米薄膜→热处理”步骤，制成氢敏元件，所述氢敏元件具备响应时间小于5s、回复时间小于10s、重复性好、选择性强且耐环境变化性高特点，在同样氢气浓度条件下的响应行为几乎完全一致，在实验室中进行多次高氢浓度氢敏实验后仍可以回复至初始状态；所述工艺具备批量化工业生产条件，并应用到实际生产中以用于检测氢气的泄漏，起到安全防护的作用。

主权项

一种钯银合金纳米薄膜氢敏元件，包括：基片、电极、PdAg合金薄膜；其特征在于：所述基片是正方形氧化硅基片、或者是单晶硅基片、或者是石英玻璃基片，所述电极是溅射于基片上的铂钛复合电极，电极呈长方形且位于基片上部两侧，所述PdAg合金薄膜包括：溅射于铂钛复合电极之上的钯纳米薄膜和溅射于钯纳米薄膜之上的银纳米薄膜；所述正方形氧化硅基片边长＝(8～10)mm，所述长方形铂钛复合电极长＝8mm、宽＝2mm，所述PdAg合金薄膜是长＝6mm、宽＝4mm、总溅射厚度≈20nm的单孔膜。