[发明专利]一种复合传感器及制造方法

摘要

本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及复合传感器及制造方法，复合传感器，包括，硅衬底，硅衬底中的至少一个第一预定空腔、至少一个第二预定空腔、至少一个第三预定空腔；在硅衬底表面预定位置形成有若干个用以形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，半导体掺杂电阻与导电线电连接；于至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜形成第一释放槽，于至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；加速度传感器可动结构外部设置有限位挡板，该限位挡板具有精确的过载限位保护作用，另外其过载限位装置的结构简单，制作过程相对较容易掌握，有利于产品的批量生产。

主权项

一种复合传感器，其特征在于，包括，硅衬底，形成于所述硅衬底内的至少一个第一预定空腔及其上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其上方的悬空硅膜，以及位于所述至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜中的至少一个第三预定空腔及其上方的悬空硅膜；在所述硅衬底表面预定位置形成有若干个用以分别形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，所述半导体掺杂电阻与导电线电连接；于所述至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜中形成第一释放槽、第一连接件，所述第一释放槽避开所述半导体掺杂电阻设置；于所述至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽、限位挡板，并形成第二连接件；所述第一释放槽结合所述第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，所述限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，所述第一连接件、第二连接件一端连接所述硅衬底，另一端与所述第一预定空腔上方的悬空硅膜连接。