[发明专利]一种消反射异质结复合涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610316877.0 申请日: 2016-05-12
公开(公告)号: CN105964233B 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 石刚;李赢;倪才华;东为富;张生文;白绘宇 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: B01J21/06 分类号: B01J21/06;B01J35/02;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 聂启新
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及光电材料技术领域,尤其涉及一种消反射异质结复合涂层及其制备方法,首先以碱液各向异性刻蚀单晶硅,得到微米尺寸的锥形结构;然后,通过软模板印刷技术,将硅锥结构转移到表面附有过渡金属氧化物的刚性基底表面,得到锥形过渡金属氧化物;最后,通过原位氧化物法,在锥形过渡金属氧化物表面生长导电高分子纳米粒子,形成刚性基底为载体的过渡金属氧化物、导电高分子复合涂层。由于该复合涂层具有微纳多级结构,因而具有优异消反射性能,同时过渡金属氧化物和导电高分子组装的界面处形成p‑n异质结,赋予复合涂层高效分离光生电荷的能力,提高光电转化效率。本发明的复合涂层高效利用入射光,作为光电材料具有较高的应用前景。
搜索关键词: 一种 反射 异质结 复合 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种消反射异质结复合涂层,其特征在于:消反射异质结复合涂层为层级有序结构,由下到上分别为刚性基底、锥形过渡金属氧化物、导电高分子纳米粒子,复合涂层整体为微纳多级结构;所述锥形为四棱锥结构,锥的侧面与底面夹角为54°,锥的高度为1‑10μm;所述过渡金属氧化物为n型半导体,为二氧化钛;所述刚性基底为硅片;所述导电高分子纳米粒子为p型半导体,为聚苯胺,纳米粒子的粒径范围为5~100nm;所述消反射异质结复合涂层的制备方法,包括以下步骤:1)将单晶硅通过碱液刻蚀得到表面具有金字塔形貌的硅锥;2)将聚二甲基硅氧烷(PDMS)的预聚物和固化剂浇铸在步骤1)的硅锥表面,加热固化后剥离PDMS模板;3)将Ti4+盐进行水解,得到TiO2的溶胶;4)将步骤2)的PDMS模板与表面附有TiO2溶胶的基底紧密接触,待溶剂挥发后,剥离PDMS模板,经过高温煅烧,得到与模板互补的锥形TiO2;5)通过原位氧化法,在骤4)得到的锥形TiO2表面自组装聚苯胺纳米粒子,得到消反射异质结复合涂层。
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