[发明专利]增加共享接触孔工艺窗口的方法有效
申请号: | 201610317214.0 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN105895586B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 曹清晨;黄荣瑞 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/8244 | 分类号: | H01L21/8244;H01L27/11;H01L27/118;H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种增加共享接触孔工艺窗口的方法,即对共享接触孔的版图进行修正,主要包括:首先根据共享接触孔与有源区及栅极的接触区域,将所述共享接触孔划分为两个区域;然后将所述两个区域分别沿平行于划分的方向进行扩展。本发明提供的方案中,通过将共享接触孔划分为单独的两个区域,使这两个区域可根据实际版图的状况进行修正,从而可增加共享接触孔的工艺窗口,确保所形成的共享接触孔与有源区及与栅极的连接无异常。 | ||
搜索关键词: | 增加 共享 接触 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】:
1.一种增加共享接触孔工艺窗口的方法,其特征在于,包括:步骤S11:提供一初始版图,所述初始版图包括多个共享接触孔对,所述共享接触孔对中的两个共享接触孔各自连接一个栅极和一个有源区,所述共享接触孔对连接的两个栅极相邻,并且,所述共享接触孔对连接的两个有源区相邻;步骤S12:将所述共享接触孔划分为两个区域,分别为位于有源区上的第一区域和位于栅极上的第二区域;步骤S13:将所述共享接触孔对中的两个第一区域沿平行于划分方向扩展一第一尺寸,将所述共享接触孔对中的两个第二区域沿平行于划分方向扩展一第二尺寸,所述第一区域和第二区域扩展的方向相反,并且所述共享接触孔对沿划分方向间距最近的两个区域沿着相互背离的方向扩展,以使所述共享接触孔对沿划分方向间距最近的两个区域的间距保持不变;步骤S14:执行光学邻近效应修正;步骤S15:输出修正后的版图。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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