[发明专利]一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法有效
| 申请号： | 201610317305.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105977372B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 何佳清;陈跃星;葛振华;尹美杰;冯丹 | 申请（专利权）人： | 深圳热电新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯潇潇 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区吉华街道甘李*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种K空穴掺杂的多晶SnSe及其制备方法，属于能源材料技术领域。本发明的方法通过以高纯的Sn、K和Sn单质为原料，将原料通过改进的机械合金化方法制备成化合物粉体，然后通过放电等离子烧结的方法，并调节机械合金化方法以及放电等离子烧结的工艺参数，实现了钾元素的有效掺杂，制备得到K空穴掺杂的多晶SnSe，其中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1‑x:x:1，0＜x≤0.1，其具有低的热导率、高的载流子浓度、高的功率因子和ZT值，热导率在773K可低至0.20W/mK，最高功率因子和最高热电优值ZT分别高达350μW/mK2和1.08，优化了热电性能，而且本发明的方法具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 掺杂 多晶 snse 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种K空穴掺杂的多晶SnSe，其特征在于，所述K空穴掺杂的多晶SnSe中，Sn、K和Se的原子比为Sn:K:Se＝1‑x:x:1，0.01≤x≤0.03。
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