[发明专利]半导体元件，半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610317373.0 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105932004B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 萧友享;杨秉丰;李长祺 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/373;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一半导体晶粒，具有一第一表面及一第二表面；一背侧镀金属，位于该半导体晶粒的第二表面；一热介面材料，位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金；及一第一介金属化合物，位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，其中该第一介金属化合物是由该热介面材料与该背侧镀金属反应而形成，且包含铟而不包含锌；其中该热介面材料之铟锌合金中锌的含量为5wt％至30wt％。
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