[发明专利]用于硅通孔叠层芯片的测试方法

摘要

本发明公开了一种用于硅通孔叠层芯片的测试方法，在需要测试的晶圆芯片上开始若干组四个相邻的TSV垂直通孔，并在两个通孔间按照需求制作金属连接线，再在晶圆芯片背部制作键合凸点，最后将所有的测试芯片逐一进行叠层，使下层测试芯片的金属连接线与上层测试芯片的键合凸点接触，采用探针进行测试，本发明能够实时得到不同互连线的电阻值，每层的电通断状态；若出现断路，可以迅速准确定位出层次间、通孔处填充还是表面金属连接线处出现异常，进而进行工艺优化，提高多层芯片模块合格率。

主权项

用于硅通孔叠层芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在晶圆芯片的空白区域做若干组四个相邻的TSV垂直通孔(1)，并进行填充，在其表面做两个通孔之间的金属连接线(2)；步骤二，在晶圆芯片的背面形成键合凸点，切割成单个芯片，形成具有通孔的测试芯片；步骤三，重复步骤一和步骤二，制作若干具有通孔的测试芯片；步骤四，将步骤三所制作的所有具有通孔的测试芯片逐一进行叠层，使下层测试芯片的金属连接线(2)与上层测试芯片的键合凸点接触；步骤五，采用探针对顶层测试芯片的金属连接线(2)进行电阻测试，即完成用于硅通孔叠层芯片的测试方法。