[发明专利]一种氮化钽金属薄层电阻结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610317943.6 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN105845297A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 薛维平 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/075;H01C17/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在制备大阻值的金属薄层电阻时，为了提高集成度，金属薄层做的很薄，阻值不易控制（通常情况下+/‑10%），本发明的氮化钽金属薄层电阻结构可以在制备大阻值（25‑500欧姆）电阻时，精确控制其阻值至+/‑3%的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 金属 薄层 电阻 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化钽金属薄层电阻结构，其结构包括：在硅衬底（101）上生长一层二氧化硅绝缘层（102），在二氧化硅绝缘层上溅射一层100‑300纳米厚的氮化钽（201），在氮化钽上面溅射一层1‑3微米厚的铝（202），将电阻区的铝刻蚀至漏出氮化钽表面，在电阻区通过氧化工艺（温度340‑400摄氏度，时间5‑60分钟）来形成150‑200纳米厚的氧化钽（501），使电阻区的氮化钽的厚度降低至100‑150纳米。
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