[发明专利]一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法在审
| 申请号： | 201610318002.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107362767A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 艾可龙;阮长平;逯乐慧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | B01J20/02 | 分类号： | B01J20/02;B01J20/30;B01J20/34;C02F1/28;C02F101/20 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法，属于汞离子吸附剂领域。解决传统过渡金属硫化物很难直接用于汞离子的吸附的技术问题。该方法包括步骤1、选取扩宽片层间距的过渡金属硫化物作为汞离子吸附剂；所述过渡金属硫化物的片层间距大于汞离子的水合直径；步骤2‑1、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体分散到含有汞离子的水中，搅拌，吸附，去上清后完成汞离子的吸附；或步骤2‑2、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体装载进入柱子中，制作成吸附柱，再将含有汞离子的废水通过吸附柱完成汞离子的吸附。本发明提供的方法能有效地避免传统过渡金属硫化物的缺点，使得汞离子吸附效果得到大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用扩宽片层 间距 过渡 金属 硫化物 吸附 离子 方法 | ||
【主权项】：
一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、选取扩宽片层间距的过渡金属硫化物作为汞离子吸附剂；所述扩宽片层间距的过渡金属硫化物的片层间距大于汞离子的水合直径；步骤2‑1、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体分散到含有汞离子的水中，搅拌，吸附，去上清后完成汞离子的吸附；或步骤2‑2、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体装载进入柱子中，制作成吸附柱，再将含有汞离子的废水通过吸附柱完成汞离子的吸附。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春应用化学研究所，未经中国科学院长春应用化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610318002.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
