[发明专利]用以减少图像记忆效应的带负电荷层有效
申请号: | 201610318158.2 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN105932033B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 霍华德·E·罗兹;杨大江;陈刚;毛杜立;文森特·韦内齐亚 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 齐杨 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用以减少图像记忆效应的带负电荷层。一种图像传感器像素包含安置于半导体层中的具有第一极性掺杂类型的光电二极管区。具有第二极性掺杂类型的钉扎表面层安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方。所述第二极性与所述第一极性相反。第一极性电荷层接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置。触点蚀刻停止层接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方。所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间,使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷。钝化层也安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间。 | ||
搜索关键词: | 用以 减少 图像 记忆 效应 负电荷 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素,其包括:光电二极管区,其具有第一极性掺杂类型,其安置于半导体层中;钉扎表面层,其具有第二极性掺杂类型,其安置于所述半导体层中的所述光电二极管区上方,其中所述第二极性与所述第一极性相反;第一极性电荷层,其接近所述光电二极管区上方的所述钉扎表面层而安置;触点蚀刻停止层,其接近所述第一极性电荷层而安置于所述光电二极管区上方,其中所述第一极性电荷层安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间,使得第一极性电荷层抵消在所述触点蚀刻停止层中感应的具有第二极性的电荷;及钝化层,其安置于所述光电二极管区上方在所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间,其中所述钝化层包含安置于所述光电二极管区上方的多个钝化层,其中所述多个钝化层中的第一者安置于所述钉扎表面层与所述第一极性电荷层之间,且其中所述多个钝化层中的第二者安置于所述第一极性电荷层与所述触点蚀刻停止层之间,其中安置于所述钉扎表面层与所述触点蚀刻停止层之间的所述第一极性电荷层防止在所述触点蚀刻停止层中感应的具有所述第二极性的所述电荷在所述光电二极管区中感应具有第一极性的电荷。
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