[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610318187.9 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107393868B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/71;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括NMOS区域的基底，所述基底上形成有层间介质层，且所述NMOS区域的层间介质层内形成有贯穿层间介质层厚度的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成高k栅介质层；在高k栅介质层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成N型功函数层；对N型功函数层进行退火处理，所述退火处理适于降低所述N型功函数层材料的功函数值，其中，所述退火处理在含氢氛围下进行；在进行所述退火处理后，形成填充满所述第一开口的金属栅极。本发明中所需的N型功函数层的厚度减小，从而增加了在第一开口内形成金属栅极的工艺窗口，使得形成的金属栅极的质量得到改善，进而提高形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供包括NMOS区域的基底，所述基底上形成有层间介质层，且所述NMOS区域的层间介质层内形成有贯穿层间介质层厚度的第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成N型功函数层；对所述N型功函数层进行退火处理，所述退火处理适于降低所述N型功函数层材料的功函数值，其中，所述退火处理在含氢氛围下进行；在进行所述退火处理后，形成填充满所述第一开口的金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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