[发明专利]一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法有效
| 申请号： | 201610318292.2 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106024583B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王雪文;苏星星;吴朝科;李婷婷;翟春雪;赵武;张志勇;胡峰 | 申请（专利权）人： | 西北大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 孙雅静 |
| 地址： | 710069 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 100 衬底 制备 不同 择优 生长 inn 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，其特征在于，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构；所述的磁控溅射法的生长条件为：In源为In靶，磁控溅射压强为0.4～0.6Pa，磁控溅射功率为60～70W，磁控溅射时间为30min，磁控溅射气体为Ar：N2＝20:20sccm，磁控溅射温度为600℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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