[发明专利]用于增强沟槽隔离集成电路中的带宽的装置和方法有效
申请号: | 201610318384.0 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158738B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | E·P·乔丹;J·G·费法 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文提供了用于增强沟槽隔离集成电路中的带宽的装置和方法。在一些配置中,形成槽隔离区域之间的漂浮区域的辅助沟槽能够将有源器件区域的寄生侧壁电容隔离于地或AC地。通过这种方式,有源器件区域由辅助沟槽合并,从而提高电路带宽且增强电路性能。当布置或者组合在电路分支内时,每个漂浮槽内的晶体管能够以相对小的寄生位移电流工作且能够具有改进的性能。 | ||
搜索关键词: | 用于 增强 沟槽 隔离 集成电路 中的 带宽 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衰减器设备,包括:基板,与参考电压耦合;第一有源器件,形成在所述基板的第一有源器件区域中,其中所述第一有源器件区域由第一沟槽隔离结构围绕;第二有源器件,形成在第二有源器件区域中,其中所述第二有源器件由第二沟槽隔离结构围绕;其中第三沟槽隔离区域介于所述第一有源器件区域和第二有源器件区域之间以限定所述基板的第一漂浮区域和第二漂浮区域,使得在所述第一有源器件区域与所述第一漂浮区域之间存在第一电容,并且在所述第一漂浮区域与所述第二漂浮区域之间存在第二电容,并且在所述第二漂浮区域与所述第二有源器件区域之间存在第三电容;其中所述第一有源器件具有第一工作电压且所述第二有源器件具有第二工作电压,并且其中所述第一工作电压与第二工作电压之间的差小于所述第一工作电压与所述参考电压之间的差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造