[发明专利]多IGBT模块综合老化特征量测量装置有效
申请号: | 201610318578.0 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106443405B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 周雒维;彭英舟;张晏铭;蔡杰;王凯宏;孙鹏菊;杜雄 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 谢殿武 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的多IGBT模块多老化特征量提取装置,包括待测IGBT模块、老化特征量测量主板和驱动电路,所述驱动电路设置于老化特征量测量主板,所述待测IGBT模块为多个,多个待测IGBT模块并联设置在老化特征量测量主板的测量工位,通过老化特征量测量主板获取待测IGBT模块的老化特征量参数;本发明中的多IGBT模块多老化特征量提取装置,可以在同一恒温环境下,对多个IGBT的多个老化特征量进行快速测量,最大限度的减少了测量时间和保证了测量环境的一致性,本发明通过饱和导通压降、传输特性曲线、寄生电容和IGBT开关暂态波形多种老化特征量共同进行判断,保证了测量结果的准确度。 | ||
搜索关键词: | igbt 模块 综合 老化 特征 测量 装置 | ||
【主权项】:
1.一种多IGBT模块多老化特征量提取装置,其特征在于:包括待测IGBT模块、老化特征量测量主板和驱动电路,所述驱动电路设置于老化特征量测量主板,所述待测IGBT模块为多个,多个待测IGBT模块并联设置在老化特征量测量主板的测量工位,通过老化特征量测量主板获取待测IGBT模块的老化特征量参数;所述老化特征量参数包括饱和导通压降、传输特性曲线、门极寄生电容和IGBT开关暂态波形,通过所述IGBT开关暂态波形提取密勒平台、寄生电感和开关时间;老化特征量测量主板设置有脉冲测试电路,所述脉冲测试电路包括单脉冲测试电路和双脉冲测试电路,所述单脉冲测试电路用于测量IGBT的传输特性曲线和饱和导通压降,所述双脉冲测试电路用于测量IGBT的常规开关暂态波形和门极寄生电容;还包括数字信号处理器,所述数字信号处理器与脉冲测试电路连接,用于发送单脉冲信号或双脉冲信号,通过数字信号处理器使脉冲测试电路输出双脉冲信号,采集待测IGBT模块的基极与发射极之间的电压与集电极电流的关断暂态波形,获取双脉冲回路等效电感,老化前后的待测IGBT模块寄生电感通过如下公式获取:其中,LE+LC为IGBT模块的寄生电感,LS为母线等效电感,ΔVCE为待测IGBT模块集‑射极电压的关断超调部分,ΔIC为Δt时间内集电极电流的变化量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610318578.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。