[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201610318738.1 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158704B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 石田省贵;福井祥吾;篠原英隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。在使用通过将化学溶液和气体混合而生成的化学溶液的液滴将附着于基板的聚合物去除时,获得充分的去除性能。基板处理装置具有:第1喷嘴(41),其用于将通过将由气体供给机构(71B)供给来的气体和由加热化学溶液供给机构(71A)供给来的加热后的化学溶液混合而形成的化学溶液的液滴朝向基板(W)的表面喷出;第2喷嘴(47),其用于将由加热纯水供给机构(75)供给来的加热后的纯水朝向基板的背面喷出。第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从背面侧加热而温度上升了的基板的表面供给液滴。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其中,该基板处理装置包括:基板保持部,其用于保持基板;加热化学溶液供给机构,其用于供给加热后的化学溶液;气体供给机构,其用于供给气体;加热纯水供给机构,其用于供给加热后的纯水;第1喷嘴,其用于将所述化学溶液的液滴朝向所述基板的表面喷出,所述化学溶液的液滴是通过将由所述气体供给机构供给来的所述气体和由所述加热化学溶液供给机构供给来的加热后的所述化学溶液混合而形成的;第2喷嘴,其用于将由所述加热纯水供给机构供给来的加热后的所述纯水朝向所述基板的背面喷出,所述第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从所述背面侧加热的所述基板的表面供给所述液滴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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