[发明专利]一种低电压单平衡电流复用无源混频器

摘要

本发明公开了一种低电压单平衡电流复用无源混频器，包括互补输入跨导级、无源本振开关以及低电压跨阻放大器；低电压跨阻放大器为跨导增强结构，通过NMOS共源放大器为PMOS跨导管提升跨导，克服了电压裕度的限制。该低电压跨阻放大器的电流输入支路与射频跨导级电流复用，降低了工作电流。本发明的混频器同时降低了电源电压和偏置电流，并且实现了较高的转换增益，具有转换增益高、工作稳定、总体功耗低的特点。

主权项

1.一种低电压单平衡电流复用无源混频器，包括互补输入跨导级、无源本振开关和低电压跨阻放大器，其特征在于：所述互补输入跨导级包括PMOS管跨导管，低电压跨阻放大器为跨导增强结构，低电压跨阻放大器包括NMOS管共源放大器，通过NMOS管共源放大器为PMOS管跨导管提升跨导，互补输入跨导级的PMOS管通过无源本振开关为低电压跨阻放大器提供偏置电流；所述低电压单平衡电流复用无源混频器包括构成互补输入跨导级的第一NMOS管NM1、第一PMOS管PM1、第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1，构成无源本振开关的第二NMOS管NM2和第三NMOS管NM3，构成低电压跨阻放大器的第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第三电阻R3、第四电阻R4、第二电容C2，其中：所述第一NMOS管NM1的源极接地、栅极接第一电阻R1的正极、漏极接第一PMOS管PM1的漏极；第一电阻R1的负极接第一偏置电压VB1，第一电阻R1的正极接第一电容C1的负极，第一电容C1的正极接第一PMOS管PM1的栅极；第一PMOS管PM1的源极接电源电压VCC；第二电阻R2的正极接第二偏置电压VB2，第二电阻R2的负极接第一电容C1的正极；第二NMOS管NM2的栅极接本振信号LO的正极，第二NMOS管NM2的漏极接第一PMOS管PM1的漏极，第二NMOS管NM2的源极接第二PMOS管PM2的源极；第三NMOS管NM3的栅极接本振信号LO的负极，第三NMOS管NM3的漏极接第一PMOS管PM1的漏极，第三NMOS管NM3的源极接第三PMOS管PM3的源极；第二电容C2的上极板接第三NMOS管NM3的源极，第二电容C2的下极板接第二NMOS管NM2的源极；第二PMOS管PM2的栅极接第四NMOS管NM4的漏极，第二PMOS管PM2的漏极接输出信号正极VOUT+，第三电阻R3的正极接第二PMOS管PM2的漏极，第三电阻R3的负极接地；第四NMOS管NM4的栅极接第二NMOS管NM2的源极，第四NMOS管NM4的源极接地；第四PMOS管PM4的源极接电源电压VCC，第四PMOS管PM4的栅极接第三偏置电压VB3，第四PMOS管PM4的漏极接第四NMOS管NM4的漏极；第三PMOS管PM3的栅极接第五NMOS管NM5的漏极，NM5的源极接地，第五NMOS管NM5的栅极接第三PMOS管PM3的源极；第三PMOS管PM3的漏极接输出信号负极VOUT‑，第四电阻R4的正极接第三PMOS管PM3的漏极，第四电阻R4的负极接地；第五PMOS管PM5的源极接电源电压VCC，第五PMOS管PM5的栅极接第三偏置电压VB3，第五PMOS管PM5的漏极接第五NMOS管NM5的漏极。