[发明专利]碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610319055.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN106169497B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 渡边幸宗 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆;纪秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供高品质的碳化硅基板，以及能够有效地制造高品质的碳化硅基板的制造方法。碳化硅基板(1)具有：Si基板(2)(硅基板)；SiC底膜(3)(碳化硅底膜)，层叠在Si基板(2)上，包含碳化硅；缺陷部(31)(贯通孔)，贯通SiC底膜(3)；空孔(32)，对应缺陷部(31)，位于Si基板(2)和SiC底膜(3)之间；氧化膜(33)，设置在空孔(32)内的Si基板(2)的表面，包含氧化硅。此外，可在SiC底膜(3)上形成SiC成长层(碳化硅成长层)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅基板，其特征在于，具有：硅基板；碳化硅底膜，层叠在所述硅基板上；贯通孔，贯通所述碳化硅底膜；空孔，对应所述贯通孔，位于所述硅基板和所述碳化硅底膜之间；以及氧化膜，覆盖所述硅基板的所述空孔的表面。
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