[发明专利]穿硅通孔填充工艺

摘要

本发明涉及穿硅通孔填充工艺，并揭示一种半导体电镀工艺，其以实质上无空隙的方式将铜沉积到穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔。所述穿硅通孔的直径可大于约3微米，且其深度可大于约20微米。使用低铜浓度且高酸度的电镀溶液来将铜沉积到所述穿硅通孔中。

主权项

一种镀敷穿硅通孔以连接至少两个集成电路的方法，所述方法包含：提供含有穿硅通孔的结构，所述结构包含位于所述穿硅通孔内的晶种层；使用一种或更多种液体预处理所述晶种层，所述一种或更多种液体选自由水、稀酸性溶液、稀碱性溶液、含有表面活性剂的溶液以及镀敷溶液组成的组；使经预处理的晶种层与镀敷溶液接触，所述镀敷溶液具有浓度为至少约40克/升的铜离子；以及在使经预处理的所述晶种层接触所述镀敷溶液的同时，将铜镀敷到所述穿硅通孔中以完全填充所述穿硅通孔，其中在镀敷期间，所述穿硅通孔的底部处的沉积速率比靠近所述穿硅通孔的开口处的沉积速率高。