[发明专利]一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法，包括：提供一阴影效应测试晶圆，所述阴影效应测试晶圆包括离子注入区和非离子注入区，在阴影效应测试晶圆表面形成厚度沿一X方向呈连续梯度分布的光刻胶层，图形化光刻胶层，以在阴影效应测试晶圆的非离子注入区表面形成多个高度沿X方向呈梯度分布的光刻胶柱。本发明通过在一片测试晶圆基底的非离子注入区形成具有不同高度的光刻胶柱，可以在一片测试晶圆基底上测试不同高度的光刻胶柱造成的阴影效应，从而降低了阴影效应的分析成本，提高了分析效率，进一步还可得到离子注入时优化的光刻胶层高度，以改善阴影效应。

主权项

1.一种离子注入层阴影效应分析结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一阴影效应测试晶圆，所述阴影效应测试晶圆包括离子注入区和非离子注入区，在所述阴影效应测试晶圆表面形成厚度沿一X方向呈连续梯度分布的光刻胶层；步骤S02：图形化光刻胶层，以在所述阴影效应测试晶圆的非离子注入区表面形成多个高度沿X方向呈梯度分布的光刻胶柱，并暴露出所述阴影效应测试晶圆的离子注入区表面；步骤S03：使用离子束对离子注入区进行离子注入，形成离子掺杂区，并进行后续常规化的工艺，在所述阴影效应测试晶圆上形成多个MOS晶体管；以及在进行离子注入层阴影效应分析时，利用预先设置的标准阈值电压范围及标准漏电流范围，将上述获得的阴影效应测试晶圆上各MOS晶体管的阈值电压与标准阈值电压范围比较，同时将获得的各漏电流与标准漏电流范围比较；若其中获得的阈值电压值落入标准阈值电压范围，同时获得的漏电流值落入标准漏电流值范围，则对应的MOS晶体管因该位置光刻胶柱高度所导致的阴影效应处于可容忍范围，从而得到离子注入时优化的光刻胶层厚度，达到改善阴影效应的目的；其中，步骤S01中，所述光刻胶层的形成方法包括：步骤S011：在所述阴影效应测试晶圆表面涂敷一层光刻胶；步骤S012：利用一光刻胶烘焙装置，通过调节其热板的各热源，使各热源温度沿X方向呈梯度分布,使得热板上的所述阴影效应测试晶圆表面光刻胶烘焙的温度也沿X方向呈梯度变化，从而在烘焙后在所述阴影效应测试晶圆表面形成厚度沿X方向呈连续梯度分布的光刻胶层；其中，所述光刻胶层的厚度确定方法包括：利用一光刻胶膜厚测试晶圆，采用步骤S011和步骤S012，在所述光刻胶膜厚测试晶圆表面同样形成厚度沿X方向呈连续梯度分布的光刻胶层，对光刻胶膜厚测试晶圆表面不同位置的光刻胶层厚度进行测量，以得到不同位置上光刻胶层的准确厚度，作为所述阴影效应测试晶圆表面对应位置的光刻胶层厚度。