[发明专利]化合物半导体装置有效
| 申请号： | 201610319639.5 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158951B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 畠中奖;山口晴央 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种化合物半导体装置，其能够通过简单的构造抑制杂质扩散，实现特性提高及稳定生产。在衬底(1)之上依次设置有：缓冲层(2)、第1载流子供给层(3)、第1间隔层(4)、沟道层(5)、第2间隔层(6)、第2载流子供给层(7)及接触层(9)。第1载流子供给层(3)是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层。第2载流子供给层(7)是杂质局部地掺杂的平面掺杂层。在缓冲层(2)和第1间隔层(4)之间、及第2间隔层(6)和接触层(9)之间，没有设置电阻值比第1及第2间隔层(4、6)高的Al混晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体装置，其特征在于，具备：衬底；以及在所述衬底之上依次设置的缓冲层、第1载流子供给层、第1间隔层、沟道层、第2间隔层、第2载流子供给层及接触层，所述第1载流子供给层是杂质均匀地掺杂的均匀掺杂层，所述第2载流子供给层是杂质局部地掺杂的平面掺杂层，在所述缓冲层和所述第1间隔层之间、及所述第2间隔层和所述接触层之间，没有设置电阻值比所述第1及第2间隔层高的Al混晶层。
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