[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610319778.8 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105931964A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘波亭;马平;张烁;吴冬雪;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，方法在衬底依次生长GaN或AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及AlGaN极化掺杂层，并对AlGaN极化掺杂层刻蚀后制作源极、漏极及栅极，以得到增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。本发明在生长AlGaN极化掺杂层时，令Al组分沿生长方向线性变少，实现了极化p型掺杂，可以使沟道层中的二维电子气完全耗尽，同时，刻蚀掉栅极以外的极化掺杂AlGaN帽层，保证了器件工作时具有低的通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 algan gan 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型AlGaN/GaN晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S1，在一衬底上生长GaN或AlN成核层；S2，在所述GaN或AlN成核层上生长GaN缓冲层；S3，在所述GaN缓冲层上生长GaN沟道层；S4，在所述GaN沟道层上生长AlN插入层；S5，在所述AlN插入层上生长AlGaN势垒层；S6，在所述AlGaN势垒层上生长AlGaN极化掺杂层，其中，所述AlGaN极化掺杂层中Al组分沿生长方向线性变少；S7，对所述AlGaN极化掺杂层进行刻蚀，刻蚀掉栅极区域以外的AlGaN极化掺杂层，以使AlGaN势垒层的部分表面露出；S8，在所述AlGaN势垒层所露出的表面上分别制作源极和漏极，并在所述AlGaN极化掺杂层上制作栅极，得到AlGaN/GaN晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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