[发明专利]热处理方法以及热处理装置有效
申请号: | 201610319864.9 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN106158605B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 布施和彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/26 | 分类号: | H01L21/26;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够防止基板的周缘部的相对的温度下降的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片照射闪光的多个闪光灯(FL)呈平面状排列。将多个闪光灯(FL)的排列分割成包含与成为处理对象的半导体晶片的中央部相向的区域的中央区(Z1)和位于中央区(Z1)的外侧的周缘区(Z2)这2个区。在闪光照射时,相比属于中央区(Z1)的闪光灯(FL)的发光时间,属于周缘区Z2的闪光灯FL的发光时间长。由此,向容易产生相对的温度下降的半导体晶片(W)的周缘部照射的闪光的光量比中央部多,能够防止在闪光加热时的半导体晶片的周缘部的相对的温度下降。 | ||
搜索关键词: | 热处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种热处理方法,通过从呈平面状排列的多个闪光灯向基板照射闪光来对该基板进行加热,其特征在于,包括:预备加热工序,从卤素灯向所述基板照射光来进行预备加热,闪光加热工序,从所述多个闪光灯向所述基板照射闪光;在所述闪光加热工序中,相比所述多个闪光灯的排列中的第一区的闪光照射时间,位于所述第一区的外侧的第二区的闪光照射时间长,该第一区包含与在腔室内保持的基板的中央部相向的区域,属于所述第二区的闪光灯的放电电压高于属于所述第一区的闪光灯的放电电压,来自所述第二区的闪光的强度强于来自所述第一区的闪光的强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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