[发明专利]热处理方法以及热处理装置有效

专利信息
申请号: 201610319864.9 申请日: 2016-05-13
公开(公告)号: CN106158605B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 布施和彦 申请(专利权)人: 株式会社思可林集团
主分类号: H01L21/26 分类号: H01L21/26;H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;向勇
地址: 日本国京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够防止基板的周缘部的相对的温度下降的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片照射闪光的多个闪光灯(FL)呈平面状排列。将多个闪光灯(FL)的排列分割成包含与成为处理对象的半导体晶片的中央部相向的区域的中央区(Z1)和位于中央区(Z1)的外侧的周缘区(Z2)这2个区。在闪光照射时,相比属于中央区(Z1)的闪光灯(FL)的发光时间,属于周缘区Z2的闪光灯FL的发光时间长。由此,向容易产生相对的温度下降的半导体晶片(W)的周缘部照射的闪光的光量比中央部多,能够防止在闪光加热时的半导体晶片的周缘部的相对的温度下降。
搜索关键词: 热处理 方法 以及 装置
【主权项】:
1.一种热处理方法,通过从呈平面状排列的多个闪光灯向基板照射闪光来对该基板进行加热,其特征在于,包括:预备加热工序,从卤素灯向所述基板照射光来进行预备加热,闪光加热工序,从所述多个闪光灯向所述基板照射闪光;在所述闪光加热工序中,相比所述多个闪光灯的排列中的第一区的闪光照射时间,位于所述第一区的外侧的第二区的闪光照射时间长,该第一区包含与在腔室内保持的基板的中央部相向的区域,属于所述第二区的闪光灯的放电电压高于属于所述第一区的闪光灯的放电电压,来自所述第二区的闪光的强度强于来自所述第一区的闪光的强度。
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