[发明专利]填充集成电路中的凹穴的方法

摘要

本发明涉及填充集成电路中的凹穴及其结果装置，揭露一种方法，能够在集成电路装置及该结果装置中填充高深宽比的凹穴，而不具有孔隙或间隙。实施例包含于第一层间介电层中提供主动区域及/或栅极接触；形成选择性保护覆盖层于该接触的上表面上；形成第二层间介电层于该保护覆盖层的上表面上及该第一层间介电层的上表面上；形成硬掩膜堆叠于该第二层间介电层上；在该第二层间介电层及硬掩膜堆叠中，形成曝露出一个或多个保护覆盖层的凹穴；在该堆叠中移除选择性层以减少该凹穴的深度；以及以金属层填充该凹穴，其中，在一个或多个凹穴中的该金属层连接至经曝露的该一个或多个保护覆盖层的上表面。

主权项

1.一种填充集成电路中的凹穴的方法，包括：提供栅极接触于第一层间介电层(ILD)中；形成保护覆盖层于该栅极接触的上表面上；形成第二层间介电层于该保护覆盖层的上表面上及该第一层间介电层的上表面上；形成硬掩膜堆叠于该第二层间介电层上，其中，形成该硬掩膜堆叠包括形成第一介电质硬掩膜(DHM1)层、金属硬掩膜(MHM)层、第二介电质硬掩膜(DHM2)层、旋涂式硬掩膜(SOH)层及抗反射涂布(ARC)硬掩膜层；在该第二层间介电层及硬掩膜堆叠中，形成曝露出一个或多个该保护覆盖层的凹穴；在该硬掩膜堆叠中移除选择性层以减少该凹穴的深度，其中，该选择性层包含该金属硬掩膜层、该第二介电质硬掩膜层、该旋涂式硬掩膜层及该抗反射涂布硬掩膜层；以及以金属层填充该凹穴，其中，在该凹穴中的该金属层连接至经曝露的一个或多个该保护覆盖层的上表面，其中，该保护覆盖层包括钌覆盖层，且该栅极接触为以钨填充的凹穴。