[发明专利]非易失性存储器中的动态读取低谷搜索有效
| 申请号： | 201610320070.4 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106158039B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 肯尼斯·路易;萧江华;戈皮纳特·巴拉克里希南;卡皮尔·韦曼;格里什马·沙赫 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王珊珊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了针对存储器单元确定动态读取电平。可以以参考电平对来读取存储器单元组。在以不同的参考电平读取组时对以参考电平对读取该组的结果进行比较。通过在以不同的参考电平读取组时对以参考电平对读取该组的结果进行比较，节省了时间。注意，可以针对其他参考电平对重复读取和比较。存储装置可以基于对不同参考电平对的结果的比较来确定经调节的读取电平。可以以参考电平的集合来读取存储器单元。一方面，在读取之间，字线上的电压不降低至接地，这节省了相当多的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 中的 动态 读取 低谷 搜索 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：/n多个非易失性存储元件；/n与所述多个非易失性存储元件通信的读取调节电路装置(720)，其中，所述读取调节电路装置包括：/n读取电路(722)，其被配置成以参考电平的集合来读取所述多个非易失性存储元件的组；/n比较电路(724)，其被配置成：在所述读取电路以所述集合中除参考电平对中的参考电平以外的参考电平来读取非易失性存储元件组时，对以所述对中的一个参考电平读取所述组的结果与以所述对中的另一参考电平读取所述组的结果进行比较；以及/n确定电路(726)，其被配置成：基于对以所述参考电平对中的一个参考电平读取所述组的结果与以所述参考电平对中的另一参考电平读取所述组的结果的比较，确定经调节的读取电平。/n
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