[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构在审
申请号: | 201610320350.5 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105870220A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 武振华;李思敏;张文涛;熊显名;高凤艳 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0445 |
代理公司: | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人: | 陆梦云 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构,其特征是:主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成;其中:所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方的二维光子晶体组成,两层二维光子晶体的结构参数相同;本发明的双层二维光子晶体陷光结构充分利用了二维光子晶体大倾角散射入射光的光学特性,上下两层二维光子晶体将入射光以大倾角反射到电池吸收层内部,大大的延长了光子的传输路径,同时,大倾角反射光会在电池吸收层分界面上发生全反射再次反射回吸收层,达到捕获光的效果,提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收效率,提高了太阳能电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 太阳能电池 光子 晶体 结构 | ||
【主权项】:
一种用于薄膜太阳能电池的光子晶体陷光结构,其特征是:主要由二维光子晶体陷光层以及一维光子晶体反射结构组成;其中:所述二维光子晶体陷光层由分别设置在薄膜太阳能电池吸收层上、下方的二维光子晶体组成,两层二维光子晶体的结构参数相同;所述二维光子晶体由圆柱体介质按照正方晶格排列方式排布在与其折射率不同的等厚透明导电介质中组成;所述一维光子晶体反射结构由两种折射率不同且比值较大的介质材料呈周期交替堆积而成,两种介质的周期厚度由光子晶体中心波长决定,通过改变中心波长以及周期数可以调节光子禁带范围,可以获得较宽的光子禁带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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