[发明专利]高压可见光通信LED器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种高压可见光通信LED器件及其制作方法，该器件包括沉积于衬底层上的若干个环形芯粒，所述若干个芯粒串联连接，所述芯粒依次包括沉积于衬底上的缓冲层、产生电子的n型层、电子空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和透明电极，还包括n电极焊点和P电极焊点，所述若干个芯粒串联连接于n电极焊点和P电极焊点两端的电极线路，所述芯粒之间铺垫有二氧化硅，并通过刻蚀技术在二氧化硅上刻出为所述焊点预留的位置。

主权项

1.一种高压可见光通信LED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：选用MOCVD系统，在衬底上生长具有量子阱结构的GaN/InGaN外延片；利用半导体平面工艺进行制备工作，通过芯片制备刻蚀工艺将外延片分成16个芯粒的分立型芯粒结构；刻蚀出的分立芯粒的n‑GaN层结构；在分立型芯粒的P型层上制备透明电极；在分立型芯粒之间铺垫二氧化硅，并通过刻蚀技术在二氧化硅上刻出为焊点预留的位置；在为焊点预留的位置制备n电极焊点和P电极焊点；将16个芯粒串联连接于p型焊点和n型焊点两端的电极线路。