[发明专利]多电极可见光通讯发光器件及其制备方法有效
申请号: | 201610320741.7 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105895756B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 郭志友;刘洋;黄涌;黄鸿勇;黄晶;孙杰;杨晛;衣新燕;孙慧卿 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邱奕才;郑永泉 |
地址: | 510631 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种多电极可见光通讯发光器件及其制备方法,该器件依次包括N型半导体层、绝缘层、多量子阱层和P型半导体层,所述P型半导体层上刻有绝缘槽,以绝缘槽为边界,P型半导体层分为外层P型半导体层和内层P型半导体层,所述外层P型半导体层和内层P型半导体层分别沉积有若干个电极,所述绝缘层上也沉积有若干个电极,外层P型半导体层和内层P型半导体层上的电极通过金线分别与绝缘层上的电极连接,分别给内层P型半导体层和外层P型半导体层通入直流驱动电流源和高频电流源,或分别通入高频电流源和直流驱动电流源。 | ||
搜索关键词: | 电极 可见光 通讯 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多电极可见光通讯发光器件,依次包括N型半导体层、绝缘层、多量子阱层和P型半导体层,其特征在于,所述P型半导体层上刻有绝缘槽,以绝缘槽为边界,P型半导体层分为外层P型半导体层和内层P型半导体层,所述外层P型半导体层和内层P型半导体层分别沉积有若干个电极,所述绝缘层上也沉积有若干个电极,外层P型半导体层和内层P型半导体层上的电极通过金线分别与绝缘层上的电极连接,分别给内层P型半导体层和外层P型半导体层通入直流驱动电流源和高频电流源,或分别通入高频电流源和直流驱动电流源。
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