[发明专利]内嵌入式照明通信双功能LED器件及其制作方法有效
申请号: | 201610320742.1 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN105895654B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 孙慧卿;黄鸿勇;黄涌;张柱定;黄晶;孙杰;杨晛;衣新燕;郭志友 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/62;H01L21/77;H01L33/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邱奕才;郑永泉 |
地址: | 510631 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种内嵌入式照明通信双功能LED器件,包括一个外围LED芯粒和嵌于所述外围LED芯粒内部的2N个通信型发光芯粒,所述2N个通信型发光芯粒在外围LED芯粒内部呈N×2阵列排列,还包括外围LED芯粒和2N个通信型发光芯粒共用的p型焊点、通信型发光芯粒的n型焊点和外围LED芯粒的n型焊点,所述外围LED芯粒和通信型发光芯粒均沉积于衬底上,所述2N个通信型发光芯粒通过串联方式连接。 | ||
搜索关键词: | 嵌入式 照明 通信 功能 led 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种内嵌入式照明通信双功能LED器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:选用MOCVD系统,在导电型衬底上生长具有量子阱结构的GaN/InGaN外延片;利用半导体平面工艺进行制备工作,通过芯片制备刻蚀工艺将外延片形成以下结构:2N个通信型发光芯粒在外围LED芯粒内部呈N×2阵列排列;通过台面刻蚀形成每个通信型发光芯粒和外围LED芯粒的n型半导体层;在每个通信型发光芯粒和外围LED芯粒的P型层上沉积透明电极层;在通信型发光芯粒间、通信型发光芯粒和外围LED芯粒间沉积二氧化硅层,并在二氧化硅层上预留焊点位置,通过刻蚀技术在二氧化硅层上刻出预留的所述焊点位置;制备2N个通信型发光芯粒共用的p型焊点、通信型发光芯粒的n型焊点和外围LED芯粒的n型焊点;将2N个芯粒串联连接于p型焊点和通信型发光芯粒的n型焊点两端的电极线路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的