[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610322620.6 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107393824A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体场效应晶体管及其制作方法，该半导体场效应晶体管的制作方法，包括在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上覆盖第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层填满所述沟槽；对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留预设深度的第一氧化硅层和第一多晶硅层；在沟槽以及沟槽的外表面形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层包裹的沟槽中填充第二多晶硅层；在硅片上填充介质及金属，形成半导体场效应晶体管。通过上述方式制作的半导体场效应晶体管，降低了半导体场效应晶体管的开关损耗，提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上覆盖第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层填满所述沟槽；对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留预设深度的第一氧化硅层和第一多晶硅层；在沟槽以及沟槽的外表面形成第二氧化硅层；在所述第二氧化硅层包裹的沟槽中填充第二多晶硅层；在硅片上填充介质及金属，形成半导体场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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