[发明专利]一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器有效
| 申请号： | 201610323009.5 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN106026948B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴伟平;吴朝晖;王静;赵明剑;李斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F3/21 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器，包括调节共源共栅输入级、带反馈电压放大级和带深度反馈输出级，所述调节共源共栅输入级的输出端通过带反馈电压放大级进而与带深度反馈输出级的输入端连接。本发明通过采用调节共源共栅输入级、带深度负反馈输出级以及自偏置结构，实现电容驱动能力，在输入输出电容都较大时，仍可获得较大的带宽，且通过采用带反馈电压输出级，可以有效增大跨阻放大器的放大倍数，同时可以精确的控制跨阻放大器的跨阻放大器倍数。并且本发明通过采用自偏置结构可以节省一个带隙基准电路，可以有效的降低跨阻放大器的功耗，减小芯片面积。本发明可广泛应用于通信设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 驱动 功耗 cmos 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种高电容驱动低功耗CMOS跨阻放大器，其特征在于：包括调节共源共栅输入级、带反馈电压放大级和带深度反馈输出级，所述调节共源共栅输入级的输出端通过带反馈电压放大级进而与带深度反馈输出级的输入端连接；所述调节共源共栅输入级包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第一电压放大器，所述第一NMOS管的漏极通过第一电阻连接至电源端，所述第一NMOS管的栅极连接至电源端，所述第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极分别与电流信号输入端、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极和第一电压放大器的输入端连接，所述第一电压放大器的输出端与第二NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极与地连接，所述第一NMOS管的漏极连接至带反馈电压放大级的输入端。
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