[发明专利]偏移抑制电极

摘要

本申请公开了偏移抑制电极。公开了用于减少MEMS传感器中的偏移的系统和方法。在第一方面中，系统是MEMS传感器，其包括感测参考平面、耦合到感测参考平面的至少一个锚、耦合到至少一个锚的至少一个质量块、耦合在感测参考平面和至少一个质量块之间以检测垂直于感测参考平面的运动的感测元件的图案、以及组合感测元件的图案从而提供与外部激励成比例的输出的信号处理电路，其中至少一个质量块中的一个在外部激励下移动，其中感测元件的图案共享至少三个极性反对称轴。在第二方面中，感测参考平面由在感测参考平面上形成四个象限的两个轴分割。

主权项

一种MEMS传感器，包括：感测参考平面；至少一个锚，所述至少一个锚耦合到所述感测参考平面；至少一个质量块，所述至少一个质量块耦合到所述至少一个锚，其中所述至少一个质量块中的一个在外部激励下移动；感测元件的图案，所述感测元件的图案耦合在所述感测参考平面和所述至少一个质量块之间以检测垂直于所述感测参考平面的运动，其中所述感测元件的图案共享至少三个极性反对称轴；以及信号处理电路，所述信号处理电路组合所述感测元件的图案从而提供与所述外部激励成比例的输出。