[发明专利]一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法有效
| 申请号： | 201610323443.3 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105932098B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪;岳之浩;高超 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入一层重掺杂p型晶体硅层。本发明可有效抑制p型PERC电池的光致衰减并且因场钝化的作用而提升太阳电池的转换效率，所提技术路线与现有产线的兼容性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 perc 太阳电池 衰减 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制p型PERC太阳电池光致衰减的方法，其特征是在PERC太阳电池的p型硅片与氧化铝钝化层之间插入的一层重掺杂p型晶体硅层的厚度为5‑500nm，且所述的重掺杂p型晶体硅层掺杂元素的分布为从硅片表面向硅片内部逐步减少的梯度分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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