[发明专利]一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法有效

专利信息
申请号: 201610324318.4 申请日: 2016-05-16
公开(公告)号: CN107393856B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 李国荣;黄亚辉;张兴 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司;北京大学
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 代理人: 陈亚英
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法。该下电极装置包括静电卡盘、直流电源、顶针和电流测量装置,所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件;所述直流电源与所述静电卡盘电连接,用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量;所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层,所述内芯与地连接。等离子体加工装置可减少晶片表面缺陷,有效地避免粘片现象。
搜索关键词: 一种 电极 装置 半导体 加工 设备 残余 电荷 释放 方法
【主权项】:
一种下电极装置,包括静电卡盘、直流电源和顶针,所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件,在所述静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔,所述顶针设置在所述通孔内;所述顶针沿所述通孔的轴线上下往复运动,而且所述顶针的顶端可高出或低于所述静电卡盘的承载面;所述直流电源与所述静电卡盘电连接,用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量;其特征在于,所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层,所述内芯与地连接。
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