[发明专利]一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法有效
申请号: | 201610324318.4 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN107393856B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 李国荣;黄亚辉;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司;北京大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 陈亚英 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种下电极装置、半导体加工设备及残余电荷释放方法。该下电极装置包括静电卡盘、直流电源、顶针和电流测量装置,所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件;所述直流电源与所述静电卡盘电连接,用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量;所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层,所述内芯与地连接。等离子体加工装置可减少晶片表面缺陷,有效地避免粘片现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 装置 半导体 加工 设备 残余 电荷 释放 方法 | ||
【主权项】:
一种下电极装置,包括静电卡盘、直流电源和顶针,所述静电卡盘用于支撑、固定被加工件,在所述静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔,所述顶针设置在所述通孔内;所述顶针沿所述通孔的轴线上下往复运动,而且所述顶针的顶端可高出或低于所述静电卡盘的承载面;所述直流电源与所述静电卡盘电连接,用以向所述静电卡盘提供静电吸附的能量;其特征在于,所述顶针包括导电的内芯和包裹所述内芯的外层,所述内芯与地连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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