[发明专利]ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法在审
| 申请号： | 201610324899.1 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105932099A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 祁小四;谢忍;白忠臣;钟伟;都有为 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：首先，利用离子溅射仪在硅基片上沉积金膜，ZnS粉末放置在陶瓷舟里，并将陶瓷舟放置在管式炉的热电偶位置处，然后，将上述的硅基片放置在ZnS粉末的下风向，通入氩气，在氩气的保护下将反应温度升至900±20℃，并在此温度反应2±0.5h，反应结束后硅片上有白色样品生成，最后，打开装置将CdS粉末放置在热电偶位置处，将上述制备的白色样品放置在距离CdS粉末下风口处，在氩气的保护下将反应温度升至800±20℃，并在氩气的保护下在此温度反应1±0.3h，待反应完成并降到室温，在硅基片上得到淡黄色的样品。 | ||
| 搜索关键词： | zns 纳米 cds 柱异质结 合成 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：首先，利用离子溅射仪在硅基片上沉积金膜，ZnS粉末放置在陶瓷舟里，并将陶瓷舟放置在管式炉的热电偶位置处，然后，将上述的硅基片放置在ZnS粉末的下风向，通入氩气，在氩气的保护下将反应温度升至900±20℃，并在此温度反应2±0.5h，反应结束后硅片上有白色样品生成，最后，打开装置将CdS粉末放置在热电偶位置处，将上述制备的白色样品放置在距离CdS粉末下风口处，在氩气的保护下将反应温度升至800±20℃，并在氩气的保护下在此温度反应1±0.3h，待反应完成并降到室温，在硅基片上得到淡黄色的样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610324899.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
