[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610325624.X | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977358B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、P型层，所述P型层包括掺杂Mg的GaN层，所述掺杂Mg的GaN层中Mg的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少，所述掺杂Mg的GaN层中插入有P型InGaN层。本发明通过掺杂Mg的GaN层中Mg的掺杂浓度沿发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少，利用Mg掺杂浓度的差异驱动空穴的纵向传输，方便空穴注入有源层。而且掺杂Mg的GaN层中插入有P型InGaN层，也可以提高空穴的有效注入，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 发光二极管外延 空穴 蓝宝石 层叠方向 衬底 源层 半导体技术领域 未掺杂GaN层 发光二极管 差异驱动 发光效率 依次层叠 纵向传输 制作 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、P型层，其特征在于，所述P型层包括掺杂Mg的GaN层，所述掺杂Mg的GaN层中Mg的掺杂浓度沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少，所述掺杂Mg的GaN层中插入有P型InGaN层；所述P型InGaN层的厚度大于或等于20nm，所述P型层的厚度大于或等于100nm。
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