[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610325750.5 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN106169496B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;姜智秀;朴宰贤;申宪宗;Y.李 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的隔离图案；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的半导体延伸层；设置在所述第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在所述第二有源区上的第二源/漏极半导体层，其中与靠近所述隔离图案相比，所述第一有源区和所述第二有源区的面对的侧表面更靠近所述半导体延伸层。
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