[发明专利]一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器

摘要

本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiCxOy，其中x=1.21~0.21，y=1.45~2.01，且x、y为负相关；膜厚度在50nm以下。一种阻变存储器，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，其特征在于所述阻变介质层为上述碳氧化硅薄膜。所述顶电极可以采用Ag和Al等材料。本发明选用了COMS工艺兼容的材料来制备阻变存储器，制备过程主要采用了物理法沉积薄膜设备，无高温工艺，减少了能源的消耗。通过控制气体比例，可以得到不同缺陷浓度的碳氧化硅薄膜。对于SiC0.21O2.01材料，其开关比达到了500，完全能够满足实际需求（大于10即可），同时基于碳氧化硅材料的阻变存储器具有自整流效应，这对于简化外电路的设计具有重要意义。

主权项

1.一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其特征在于：其分子式为SiCxOy，其中x=1.21~0.21，y=1.45~2.01，且x、y为负相关，即假设碳氧化硅原子总数为1，硅为a，碳为b，氧为c，a+b+c=1，则x=b/a，y=c/a；膜厚度在50nm以下。