[发明专利]一种纳米多层透明导电薄膜有效

专利信息
申请号: 201610326065.4 申请日: 2016-05-17
公开(公告)号: CN105925947B 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: 路万兵;于威;蒋树刚;杨彦斌;王春生;刘海旭;傅广生 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/30;C23C14/08;C23C14/18;C23C28/00
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 代理人: 胡素梅,苏艳肃
地址: 071002 河北省保*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供了一种纳米多层透明导电薄膜。该纳米多层透明导电薄膜是在基底上沉积有至少一个双层,该双层包括一弱氧化铜(CuOx)层和在CuOx层上的与其接触的、连续的超薄银层。CuOx层中氧与铜原子百分比x为0<x≤20%;CuOx层厚度为0.5 nm~3 nm,银层厚度为2 nm~10 nm。与传统透明导电薄膜相比,该纳米多层结构透明导电薄膜具有高的光透过率、低的电阻率和表面粗糙度,用作太阳能电池、触摸屏等光电器件的透明电极可改善其性能,而且本发明中纳米多层透明导电薄膜制备时所需温度低,在室温下即可利用真空镀膜技术实现其高质量制备,便于利用卷绕式薄膜制备技术实现大面积低成本生产。
搜索关键词: 一种 纳米 多层 透明 导电 薄膜
【主权项】:
一种纳米多层透明导电薄膜,其特征是,包括基底、位于所述基底上的CuOx层及位于所述CuOx层上且与所述CuOx层相接触的Ag层;其中,0<x≤20%;所述CuOx层的厚度为0.5nm~3 nm,所述Ag层的厚度为2nm~10 nm。
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