[发明专利]具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器及制作方法，本发明提出的基于GaN生物传感器的集成式固态薄膜Pt参比电极与GaN生物传感器现用外置Pt参比电极相比，电极位置固定，采用微电子工艺制作，参比电极精密度更高，且与GaN器件同时制作使得制作成本低，集成度高，易于进行小型化和便携式GaN生物传感器的实现。

主权项

1.具有集成式固态薄膜Pt参比电极的GaN生物传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在干净的含有GaN缓冲层、AlGaN势垒层和衬底的基片上，光刻显影出器件隔离区域，采用刻蚀或离子注入方法形成器件的隔离；步骤二，在未做隔离的区域上光刻显影出欧姆接触区域，采用电子束蒸发的方法获得欧姆金属层，欧姆金属层采用Ti/Al/Ni/Au四层结构，退火形成合金，获得欧姆接触；步骤三，在欧姆金属层上及衬底上光刻显影出器件源漏电极的互连区域和参比电极的引线区域，蒸镀Ni/Au互连金属，采用lift‑off工艺并剥离，获得GaN器件源漏电极的互连金属和参比电极的引线金属；步骤四，在参比电极引线上光刻显影出参比电极感应区域，溅射300～1000nm厚的参比电极金属Pt，并剥离，形成参比电极金属；步骤五，在基片表面淀积60‑100nm厚度的Si3N4作为钝化层；步骤六，在钝化层上进行光刻显影，采用ICP刻蚀法或RIE刻蚀法或湿法刻蚀法刻蚀Si3N4，露出GaN器件的栅区域、参比电极感应区域、器件的互连金属引出区域及参比电极引出区域；步骤七，采用PDMS进行器件的封装，制作出传感器测试用样品槽，最终得到具有集成式固态薄膜参比电极的GaN生物传感器。