[发明专利]一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法有效
| 申请号： | 201610326570.9 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105977357B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;刘逸为;张劲涛;杨灿 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法，并阐述了其增强发光的原理。固态发光器件由信号电极，背电极，发光单元构成，每个发光单元是由多层薄膜构成的MOS结构，各层薄膜采用不同的材料或不同的工艺参数制作，薄膜物理性质不同。在薄膜上施加电压时，由于介质层薄膜中的氧缺陷连接形成一个连续的导电通道，从而热致发光。在介质层薄膜中增加一层1‑2nm厚的Ti薄膜，可以在介质层中产生更多的氧缺陷，增强发光亮度，降低能耗，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 介质 薄膜 固态 发光 器件 增强 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘介质薄膜固态发光器件发光增强方法，其特征在于，在绝缘介质中制备一层或多层嵌入层，制作过程为在硅片上制作多层薄膜，依次为绝缘介质薄膜，嵌入层薄膜，绝缘介质薄膜，从而实现将嵌入层制备在绝缘介质层中的目的，其中两层绝缘介质薄膜总厚度为8nm，材料为HfO2，ZrO2，Al2O3或WO3，嵌入层厚度为1‑2nm，材料为Ti、Al或Mg，最后是顶电极薄膜制备在介质层薄膜之上，薄膜制备方法为磁控溅射。
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