[发明专利]一种碳化硅晶体晶圆表面析出碳的去除系统及方法在审
| 申请号： | 201610326751.1 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107393845A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统及方法。该碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统包括真空容器、氧气输入装置和射频发生器；所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极；所述氧气输入装置，用于向所述真空容器内输入氧气；所述射频发生器，用于向所述等离子体发生电极施加预设功率的射频信号；所述等离子体发生电极，用于电离所述真空容器内的氧气形成等离子体，以通过所述等离子体去除所述碳化硅晶圆表面的析出碳。本发明通过等离子体去除碳化硅晶圆表面的析出碳，以避免析出碳对碳化硅器件漏电、耐压等性能的影响，有效地提高碳化硅晶圆的生产良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 表面 析出 去除 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶圆表面析出碳的去除系统，其特征在于，包括真空容器、氧气输入装置和射频发生器；所述真空容器内置有待加工碳化硅晶圆和等离子体发生电极；所述氧气输入装置，用于向所述真空容器内输入氧气；所述射频发生器，用于向所述等离子体发生电极施加预设功率的射频信号；所述等离子体发生电极，用于电离所述真空容器内的氧气形成等离子体，以通过所述等离子体去除所述碳化硅晶圆表面的析出碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
