[发明专利]一种SiC MOSFET管的驱动电路

摘要

本发明提出一种SiC MOSFET管的驱动电路，包括信号接收电路、电平转换电路、推挽放大电路、桥臂串扰抑制电路、全桥整流电路、第一隔离变压器和第二隔离变压器。本发明采用隔离变压器实现驱动电路与控制电路的隔离，使控制电路能够在常温环境中工作，在克服了耐高温控制集成芯片获取困难的基础上，还具备高温工作能力，并减小了线路寄生参数；采用辅助耐高温BJT管与SiC MOSFET管互补导通，开关管关断时在驱动电路中接入并联电容，抑制桥臂电路串扰现象。

主权项

1.一种SiC MOSFET管的驱动电路，其特征在于，包括信号接收电路、电平转换电路、推挽放大电路、桥臂串扰抑制电路、全桥整流电路、第一隔离变压器和第二隔离变压器；信号接收电路通过第一隔离变压器与SiC MOSFET管的控制电路相连，将控制电路输出的控制信号传递给电平转换电路；电平转换电路将控制信号转换为推挽放大电路的输入电平V4g；推挽放大电路的输出端两臂均与SiC MOSFET管的栅极相连，并根据输入电平V4g控制SiC MOSFET管导通或截止；全桥整流电路通过第二隔离变压器与外接电源相连，形成所述驱动电路的电源电路，并为所述驱动电路供电；桥臂串扰抑制电路包括PNP型BJT管Q8和辅助电容Ca，Q8的基极与推挽放大电路的输入端相连，Q8的发射极与SiC MOSFET管的源级相连，Q8的集电极通过Ca与SiC MOSFET管的栅极相连；Ca＞＞CGS，CGS为SiC MOSFET管的栅源极电容。