[发明专利]用于处理半导体层的方法、用于处理硅衬底的方法和用于处理硅层的方法

摘要

根据各种实施例，一种用于处理半导体层的方法可以包括：在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体，其中，远程等离子体源的等离子体室耦合到处理室以用于处理半导体层；将蚀刻等离子体引入处理室以移除来自半导体层的表面的自然氧化层和至多是可忽略的数量的半导体层的半导体材料；并且随后，将介电层直接沉积在半导体层的表面上。

主权项

1.一种用于处理半导体衬底的方法，所述半导体衬底包括半导体层和布置在所述半导体层的至少一个表面上的自然氧化层，其中所述半导体层为硅或碳化硅层，所述方法包括：在远程等离子体源的等离子体室中生成蚀刻等离子体，其中所述远程等离子体源的所述等离子体室被耦合到用于处理所述半导体层的处理室；从所述半导体衬底移除所述自然氧化层，包括：蚀刻所述自然氧化层以及通过将所述蚀刻等离子体引入所述处理室中以蚀刻在所述自然氧化层之下的半导体层的1至100之间的原子层；以及随后，将介电层直接沉积在所述半导体层的所述表面上，其中使用含氢前驱体通过化学气相沉积来沉积所述介电层，并且其中所述半导体层与所述介电层之间的界面具有小于2×10¹³cm^‑2eV^‑1的界面态密度；其中从含卤气体在所述远程等离子体源的所述等离子体室中生成所述蚀刻等离子体。