[发明专利]一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管，该发光二极管包括由下而上依次设置的衬底(101)、金属极性面n型氮化物层(102)、金属极性面多量子阱层(103)、金属极性面p型氮化物层(104)、由金属极性面p型电子阻挡层(1051)和氮极性面p型电子阻挡层(1052)组成的复合极性面p型电子阻挡层(105)、氮极性面p型氮化物层(106)、所述金属极性面n型氮化物层上设置的n电极(107)和所述氮极性面p型氮化物层上设置的p电极(108)。复合极性面电子阻挡层在导带形成较高的电子势垒，阻挡电子越过多量子阱有源区进入p型区，从而可以减小漏电流，增加电子与空穴进行辐射复合的几率。

主权项

1.一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管，其特征在于：该发光二极管包括由下而上依次设置的衬底(101)、金属极性面n型氮化物层(102)、金属极性面多量子阱层(103)、金属极性面p型氮化物层(104)、由金属极性面p型电子阻挡层(1051)和氮极性面p型电子阻挡层(1052)组成的复合极性面p型电子阻挡层(105)、氮极性面p型氮化物层(106)、所述金属极性面n型氮化物层上设置的n电极(107)和所述氮极性面p型氮化物层上设置的p电极(108)，复合极性面电子阻挡层用于阻挡电子越过多量子阱有源区进入p型区，减小漏电流，同时有利于空穴注入多量子阱有源区。