[发明专利]实现多晶硅栅极平坦化的方法

摘要

本发明提供了一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，包括在衬底上生长多晶硅栅极层；在所述多晶硅栅极层上沉积氧化物层；对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化硅；去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅。

主权项

一种实现多晶硅栅极平坦化的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上生长多晶硅栅极层，在衬底中形成有填充有非硅片材料的沟槽；沟槽向表面突出以使所述多晶硅栅极层表面的沟槽位置处存在台阶；第二步骤：在所述多晶硅栅极层上沉积平坦的氧化物层，以使所述多晶硅的低洼处填进更多的氧化物层；第三步骤：对整个硅片进行热氧化，使得所述多晶硅栅极层的上部被氧化成氧化硅，对所述氧化硅下面的多晶硅进行氧化，所述多晶硅栅极层的凸起处的氧化硅薄膜比所述低洼处的氧化硅薄，所述热氧化工艺中的氧气通过扩散的方式到达多晶硅处，以使在所述凸起处比所述低洼处先被氧化，以使所述多晶硅台阶减小；第四步骤：去除所述衬底表面的所述氧化物层和被热氧化而形成的氧化硅以得到平坦的多晶硅表面。