[发明专利]铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法，其材料的化学式为(Gd_{1‑x‑y‑z}K_xCe_yM_z)₂Si₂O₇，其中：K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合，M=Mg²⁺、Ca²⁺、Ba²⁺、B³⁺、In³⁺的一种或多种的组合，0≤x≤0.995，0.00001≤y≤0.05，0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg²⁺、Ca²⁺、Ba²⁺、B³⁺、In³⁺主族离子，制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉，与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比，掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小，优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。

主权项

一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料，其特征在于：其材料的化学式为(Gd_{1‑x‑y‑z}K_xCe_yM_z)₂Si₂O₇，其中化学式中：K为La、Lu、Y和Sc中的任意一种元素或任意多种元素的组合，M为Mg²⁺、Ca²⁺、Ba²⁺、B³⁺和In³⁺中的任意一种元素或任意多种元素的组合，0≤x≤0.995，0.00001≤y≤0.05，0≤z≤0.05。