[发明专利]具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片及其生产工艺有效
| 申请号： | 201610328647.6 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105932123B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;戴俊;王明洋;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片及其生产工艺，涉及半导体光电器件领域，本发明在制作时，于量子垒插入低温AlInN垒层，通过纳米级坑洞结构，增大了发光层发光面积，同时利用量子点限制效应降低QCSE，改善In并入提升电子和空穴的复合效率，其次，靠近N型氮化物第一个发光层AlInN插入垒层设置金属反射层可使发光层射向衬底的光线被反射提升正面出光；同时，低温非掺杂氮化物层修复发光层表面，并起到空穴注入聚集和电流扩展作用，提高载流子注入均匀性；较AlGaN材料发光层极化效应降低，同时可以限制电子溢出，降低大电流下效率骤降效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低温 alinn 插入 氮化物 发光二极管 外延 及其 生产工艺 | ||
【主权项】：
1.具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片，包括衬底、依次位于衬底上方的低温氮化物缓冲层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、发光层、低温氮化物层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于所述发光层从下至上依次包括低温AlInN插入垒层、金属反射层和周期交替设置的GaN垒层和InGaN量子阱层，所述低温AlInN插入垒层、GaN垒层和InGaN量子阱层的表面分别设置纳米级坑洞结构；在N型氮化物层上依次设置低温AlInN插入垒层、金属反射层和GaN垒层，所述低温氮化物层为非掺杂的低温氮化物层。
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