[发明专利]多谐振模式的薄膜体声波谐振器及其制备方法和滤波器有效
| 申请号： | 201610329169.0 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105897211B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘国荣;李洁 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/56;H03H9/58 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了多谐振模式的薄膜体声波谐振器，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构与硅衬底之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极。本发明的薄膜体声波谐振器，具有多个谐振点，可通过级联、桥接等方式设计出多通带滤波器，大大减少无线终端上的FBAR滤波器数量。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 模式 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法 滤波器 | ||
【主权项】：
1.多谐振模式的薄膜体声波谐振器，其特征在于，依次包括硅衬底和压电堆叠结构，所述压电堆叠结构与硅衬底之间的空腔形成薄膜体声波谐振器的谐振腔；所述压电堆叠结构由下至上依次包括底电极、两层以上的压电薄膜、顶电极；各层压电薄膜的面积不同，每层压电薄膜上方均被顶电极全部或部分覆盖。/n
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