[发明专利]功率MOS失效位置的判定方法在审
| 申请号： | 201610329281.4 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106019118A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265;G01R31/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率MOS失效位置的判定方法，包含：步骤1，去除样品芯片表面钝化层，暴露出金属；步骤2，采用亮点定位工具定位出亮点；步骤3，采用激光成像技术，记录下亮点及其周围的晶粒的形貌；步骤4，在亮点附近做出标记位置；步骤5，在聚焦离子束机台下找到标记位置，并找到亮点对应的晶粒交界，进行切片分析，从而找到失效位置。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 失效 位置 判定 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOS失效位置的判定方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，去除样品芯片表面钝化层，暴露出金属；步骤2，采用亮点定位工具定位出亮点；步骤3，采用激光成像技术，记录下亮点及其周围的晶粒的形貌；步骤4，在亮点附近做出标记位置；步骤5，在聚焦离子束机台下找到标记位置，并找到亮点对应的晶粒交界，进行切片分析，从而找到失效位置。
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