[发明专利]膜下栽培方法在审
| 申请号： | 201610329286.7 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105940917A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李国昌;冯荣光 | 申请（专利权）人： | 石林兴远甜玉米种植专业合作社 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 652207 云南省昆明市石林县鹿*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种膜下栽培方法，包括如下步骤：①耕地拉沟；②浇定根水；③选膜；④覆盖；⑤破膜。本发明中的地膜下栽培技术通过在膜下挖掘深穴栽种，植株生长至即将顶膜时破膜引出苗，之后用细土将膜口压实形成种植穴四周高，穴底低，解决了不能三干播种的问题，播种期由原来的立夏、小满节令提前到谷雨节令，不仅分散了作物栽种时间，提高了作物栽培质量，同时也解决了烧苗的问题，同时减少浇水次数3‑5次，减少用水量和劳动成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栽培 方法 | ||
【主权项】：
一种膜下栽培方法，其特征在于：包括如下步骤：①耕地拉沟：选择地势较平坦、土层深厚疏松的土地，深翻30cm，起垄栽培，植株栽培穴深度为15‑20cm，植株苗为一心二叶；②浇定根水：选取淡水进行定植浇透水；③选膜：选择幅宽60‑‑70厘米、厚度为0.007‑‑0.008毫米的地膜；④覆盖：覆膜时，植株顶距膜高度为10‑15cm；⑤破膜，当植株生长至即将顶膜时破膜引出苗后用细土将膜口压实，形成种植穴四周高，穴底低，破膜引苗应在每天上午10点前或下午五点后进行。
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